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12 月 21 日，三星電子宣布，已成功開發(fā)出其首款采用 12 納米（nm）級工藝技術(shù)打造的 16Gb DDR5 DRAM，并與 AMD 一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。

圖自三星電子

三星表示，這一技術(shù)突破是通過使用一種新的高介電（high-k）材料來增加電池電容，以及改進關(guān)鍵電路特性的專利設(shè)計技術(shù)而實現(xiàn)的。

三星數(shù)據(jù)顯示，結(jié)合先進的多層極紫外（EUV）光刻技術(shù)，新款 DRAM擁有三星最高的 Die 密度（Die density），可使晶圓生產(chǎn)率提高 20%。基于 DDR5 最新標準，三星 12nm 級 DRAM將解鎖高達 7.2 千兆每秒（Gbps）的速度。

能效方面，與上一代三星 DRAM 產(chǎn)品相比，12nm 級 DRAM 的功耗降低約 23%。

據(jù)了解，隨著 2023 年新款 DRAM 量產(chǎn)，三星計劃將這一基于先進 12nm 級工藝技術(shù)的 DRAM 產(chǎn)品擴展到更廣泛的市場領(lǐng)域。