（CWW）碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，在功率半導體等領域具有巨大應用潛力，但長期以來面臨大尺寸晶體制備的工藝難題，碳化硅單晶襯底在器件成本中占比也高達近50%。

近期，中科院物理研究所科研人員通過優化生長工藝，改善晶體結晶質量，成功制備單一4H晶型的8英寸碳化硅（SiC）晶體，并加工出厚度約2mm的8英寸SiC晶片，實現了國產大尺寸碳化硅單晶襯底的突破。

中科院方面表示，該成果轉化后，將有助于增強我國在SiC單晶襯底的國際競爭力。